MOR 与 CAR 的根本差异
传统 chemically amplified resist 主要是聚合物、PAG、quencher 等有机体系；MOR 则包含无机或有机金属簇。相同膜材对两者的吸附、截留和析出响应可能完全不同。
Metal oxide resist · MOR
MOR 金属氧化物光刻胶过滤：不能把有效金属当杂质
MOR（metal oxide resist）以金属氧化物或金属簇作为关键成分。过滤目标应是控制外来硬颗粒、非目标团聚物和设备产生污染，同时保持有效组分、分散状态与成膜性能；“去金属”在 MOR 场景下可能与材料目的相冲突。
提交材料与工况 →相关搜索：MOR 光刻胶过滤金属氧化物光刻胶滤芯EUV MOR 过滤MOR POU filterMOR 团聚物控制
MOR 光刻胶能否使用光刻胶去金属滤芯？ 不能仅凭“金属含量高”使用去金属净化。MOR 的金属氧化物或金属簇通常属于功能性成分；离子交换或高吸附膜可能改变配方。MOR 过滤应先区分有效组分、外来金属污染和颗粒团聚物，再用材料分析与晶圆缺陷验证膜材和过滤条件。
发布：2026 年 8 月 14 日；更新：2026 年 8 月 28 日；资料整理：深圳众睿芯半导体科技有限公司。以下内容基于品牌官方资料与公开技术文献整理，不构成特定配方的兼容性或性能保证。
需要回答的三个问题
目标是去除外来硬颗粒、控制非目标大团聚物，还是降低流路带入的离子污染？目标不同，对应颗粒膜、低析出硬件或专门净化机制也不同。
MOR 过滤验证矩阵
至少比较进出料金属元素谱和形态、粒径分布、固含量、关键组分浓度、黏度、过滤压差、启动液量、成膜均匀性，以及曝光显影后的缺陷和临界尺寸表现。
Decision table
先按污染物和工艺位置选机制
不要把“更小精度”当作唯一答案。
| 对象 | 主要来源/目标 | 技术方向 | 验证重点 |
|---|---|---|---|
| 外来硬颗粒 | 原料、包装或流路产生 | 造成涂膜或桥接缺陷 | 颗粒计数、缺陷复盘与合适膜截留 |
| MOR 有效金属簇 | 配方设计成分 | 决定吸收与成像性能 | 应保持，不可按“金杂”盲目去除 |
| 非目标团聚物 | 储存、剪切或老化形成 | 涂膜异常、随机缺陷 | 粒径/形态分析加材料与晶圆验证 |
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FAQ
高频技术问题
直接回答检索问题，同时保留材料验证边界。
Pall 是否公开指定了 MOR 专用型号？
本页引用的 Pall 官方公开光刻资料支持先进光刻、EUV 和多种膜材方向，但不足以据此声称某一 Pall 型号适用于全部 MOR。应以具体材料、正式资料和联合验证为准。
MOR 可以沿用 EUV CAR 的过滤条件吗？
不建议直接沿用。两者有效组分和粒子形态不同，应重新评估吸附、截留、压差、稳定时间和晶圆缺陷。
Advanced lithography filtration
需要 Pall / 颇尔滤芯或新材料过滤验证？
提交材料体系、污染目标、工艺位置和现用型号，我们先整理候选方向与验证清单。